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                MOSFET

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                • 型号/规格:

                  AO4447A

                • 品牌/商标:

                  SOP-8

                • 封装形式:

                  SOP-8

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  JMTC3003A

                • 品牌/商标:

                  捷捷微电子

                • 封装形式:

                  TO-220

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  直插式

                • 包装方式:

                  盒带编带包装

                • 型号/规格:

                  30V 3A P沟道

                • 品牌/商标:

                  VISHAY

                • 封装形式:

                  SOT-23

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 类型:

                  MOS管

                • 描述:

                  场效应

                • 型号/规格:

                  KTK5132S-RTK/P

                • 品牌/商标:

                  KEC

                • 封装形式:

                  SOT-23

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  BSS138NH6327

                • 品牌/商标:

                  INFINEON(英飞凌)

                • 封装形式:

                  SOT-23

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 品牌:

                  INFINEON

                • 丝印:

                  SK

                • 型号/规格:

                  IRF9Z24

                • 品牌/商标:

                  IR

                • 封装形式:

                  TO-220

                • 环保类别:

                  普通型

                • 安装方式:

                  直插式

                • 包装方式:

                  单件包装

                • 品牌:

                  IR/国际整流器

                • 型号:

                  IRF9540NPBF

                • 封装:

                  TO-220

                • 批号:

                  询问

                • FET类型:

                  N沟道

                • 漏源电压(Vdss):

                  100V

                • 漏极电流(Id):

                  23A(Tc)

                • 漏源导通电阻(RDS On):

                  10V

                • 型号/规格:

                  IRF3007S

                • 品牌/商标:

                  国际品牌

                • 封装形式:

                  SMD/DIP

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  SMD/DIP

                • 包装方式:

                  单件包装

                • 功率特征:

                  大功率

                • 型号/规格:

                  XP132A11A1SR

                • 品牌/商标:

                  TOREX

                • 封装形式:

                  SOP8

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  AUIRFS4310Z

                • 品牌/商标:

                  IR

                • 封装形式:

                  TO-263

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  盒带编带包装

                • 功率特征:

                  超大功率

                • 包装:

                  800

                • 品牌:

                  弘晟达

                • 型号:

                  3401-A19T

                • 封装:

                  SOT-23

                • 批号:

                  18+

                • FET类型:

                  /

                • 漏源电压(Vdss):

                  /

                • 漏极电流(Id):

                  /

                • 漏源导通电阻(RDS On):

                  /

                • 品牌:

                  聖禾堂

                • 型号:

                  AO3401A

                • 封装:

                  SOT-23

                • 批号:

                  18+

                • FET类型:

                  P沟道

                • 漏源电压(Vdss):

                  30V

                • 漏极电流(Id):

                  4A

                • 漏源导通电阻(RDS On):

                  44 毫欧

                • 型号/规格:

                  AO4407

                • 品牌/商标:

                  AOS

                • 封装形式:

                  SOP-8

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 功率特征:

                  中功率

                • 封装:

                  SOP-8

                • 型号/规格:

                  AUIPS7145RTRL

                • 品牌/商标:

                  IR

                • 封装形式:

                  TO-252

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  直插式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  MT48LC8M16A2P-75IT

                • 品牌/商标:

                  MICRON

                • 封装形式:

                  TSSOP-54

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  DMN6140L-7

                • 品牌/商标:

                  DIODES

                • 封装形式:

                  SOT23-3

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 功率特征:

                  小功率

                • 批次:

                  18+

                • 型号/规格:

                  AO3400

                • 品牌/商标:

                  AOS/万代

                • 封装形式:

                  SOT-23

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 功率特征:

                  小功率

                • 封装外形:

                  P-DIT/塑料双列直插

                • 型号/规格:

                  CM300DY-12A

                • 材料:

                  IGBT绝缘栅比极

                • 用途:

                  MOS-HBM/半桥组件

                • 品牌/商标:

                  Mitsubishi/三菱

                • 沟道类型:

                  N沟道

                • 种类:

                  绝缘栅(MOSFET)

                • 导电方式:

                  增强型

                • 型号/规格:

                  2N7002KDW 72K

                • 品牌/商标:

                  长电

                • 封装形式:

                  SOT-363

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 型号/规格:

                  AOTF4S60

                • 品牌/商标:

                  NA

                • 封装形式:

                  SOP8

                • 环保类别:

                  无铅环保型

                • 安装方式:

                  贴片式

                • 包装方式:

                  卷带编带包装

                • 功率特征:

                  中功率

                MOSFET行业资讯

                • 罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件[2020-08-28]

                  罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可 限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、...

                • Renesas瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器[2020-07-07]

                  全球的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品;新款HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器设...

                • Toshiba东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD[2020-05-29]

                  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断,并计划于今日开始出货。  TPD7107F产品示意图  TPD7107F采用东芝的汽车级低导...

                • 闻泰将安世高功率MOSFET产线引入国内[2020-04-27]

                  4月26日,闻泰科技发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金报告书(草案)公告,详细披露高达58亿元的配套融资方案,其中安世中国先进封测平台及工艺升级项目和云硅智谷4G/5G半导体通信模组封测和终端研发及产业化项目这两项尤为令人瞩目。这意味着闻泰科技...

                • 东芝推出新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET[2020-03-31]

                  –进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–  中国上海,2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET...

                什么是MOSFET?

                • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
                • MOSFET

                MOSFET技术资料

                • 开关控制器MOSFET的选择方法[2020-07-31]

                  DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。  图 1—降压...

                • 使用碳化硅 MOSFET 提升工业驱动器的能源效率[2020-07-09]

                  由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新...

                • ST - 使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率[2020-07-03]

                  摘要  由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域...

                • 耗尽型MOSFET适用于在没有电源的情况下传导高保真信号[2020-05-25]

                  所谓的增强还是耗尽,主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下,反型层不存在,电压加到一定程度后,反型层才出现,这个就是增强。相反,如果反型层一开始就存在,随着电压强弱,反型层会出现增加或者衰减,这个就是耗尽。  所以,对于高速低功耗应用...

                • 英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析[2020-05-20]

                  2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源...

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